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真空晶体生长炉
真空晶体生长炉
产品描述:
真空晶体生长炉主要用于碳化硅、硒化锌等晶体的生长
应用范围:
大尺寸单晶碳化硅生长(PVT法)、硒化锌晶体气相生长

真空晶体生长炉技术特征

采用先进的控制技术,能精密控制炉内压力,炉膛内压力波动小;

采用动密封技术,能精密控制坩埚移动与旋转;

采用特殊结构设计,能有效控制籽晶位置;

采用特殊的炉胆结构和加热器布置,经温场模拟计算,能有效控制炉内温场分布;

具备柔性抽真空、炉内分压控制等功能;

采用先进的隔热结构和材料,炉胆隔热性能好、蓄热少,

采用特殊的高温红外测量技术,控温准确,误差小。

真空晶体生长炉产品规格

型号/参数VCG-4VCG-6VCG-8
产品尺寸
4英寸6英寸8英寸
最高温度(℃)2400-26002400-26002400-2600
温度均匀性(℃)±5±5±5
极限真空度(Pa)10-5-10-310-5-10-310-5-10-3
压升率(pa/h)0.670.670.67

真空晶体生长炉配置选择

结构形式:上出料/下出料

炉门锁紧方式:手动/自动

炉壳材质:内层不锈钢/全碳钢/全不锈钢

保温材质:高纯碳毡/石墨毡/固化毡

加热器:等静压石墨/金属

热电偶:C/K/N/S分度号

红外仪:单比色/双比色

适于工艺气氛:N2/Ar/H2

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